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एलजीएस क्रिस्टल और पॉकल्स सेल
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एलजीएस क्रिस्टल और पॉकल्स सेल

    भुगतान प्रकार: T/T
    Incoterm: FOB,CIF,FCA,CIP
    Min. आदेश: 1 Bag/Bags
    प्रसव के समय: 30 दिनों
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बुनियादी जानकारी

मॉडल नं.: CPLPC-08

Chemical Formula: La3Ga5SiQ14

Density: 5.75g/cm3

Melting Point: 1470℃

Transparency Range: 242-3200nm

Refractive Index: 1.89

Electro-Optic Coefficients: γ41=1.8pm/V,γ11=2.3pm/V

Resistivity: 1.7x1010Ω.cm

Deliquescence: No

Thermal Expansion Coefficients: α11=5.15x10-6/K(⊥Z-axis); α33=3.65x10-6/K(∥Z-axis)

Additional Info

पैकेजिंग: कार्टन पैकिंग

उत्पादकता: 2000pcs

ब्रांड: Coupletech

परिवहन: Air

उद्गम-स्थान: चीन

प्रमाण पत्र: ISO9001:2015

एचएस कोड: 9001909090

बंदरगाह: Qing Dao

उत्पाद विवरण

La 3 Ga 5 SiO 14 क्रिस्टल (LGS क्रिस्टल) उच्च क्षति सीमा, उच्च इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल गुणांक और उत्कृष्ट इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल प्रदर्शन के साथ एक ऑप्टिकल nonlinear सामग्री है। LGS क्रिस्टल त्रिकोणीय प्रणाली संरचना से संबंधित है, छोटे थर्मल विस्तार गुणांक, क्रिस्टल का थर्मल विस्तार anisotropy कमजोर है, उच्च तापमान स्थिरता का तापमान अच्छा है (SiO 2 से बेहतर ), दो स्वतंत्र इलेक्ट्रो के साथ - ऑप्टिकल गुणांक उतना ही अच्छा है बीबीओ क्रिस्टल। इलेक्ट्रो-ऑप्टिक गुणांक तापमान की एक विस्तृत श्रृंखला में स्थिर होते हैं। क्रिस्टल में अच्छे यांत्रिक गुण होते हैं, कोई दरार नहीं होती है, कोई विलंबता नहीं होती है, भौतिक रासायनिक स्थिरता होती है और इसमें बहुत अच्छा व्यापक प्रदर्शन होता है। एलजीएस क्रिस्टल में 242nm-3550nm से एक विस्तृत ट्रांसमिशन बैंड है, जिसमें उच्च संचरण दर है। इसका उपयोग ईओ मॉड्यूलेशन और ईओ क्यू-स्विच के लिए किया जा सकता है।


एलजीएस क्रिस्टल में अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला है: पीजोइलेक्ट्रिक प्रभाव, ऑप्टिकल रोटेशन प्रभाव के अलावा, इसका इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल प्रभाव प्रदर्शन भी बहुत बेहतर है, एलजीएस पॉकेल्स कोशिकाओं में उच्च पुनरावृत्ति आवृत्ति, बड़े खंड एपर्चर, संकीर्ण नाड़ी चौड़ाई, उच्च शक्ति, अल्ट्रा है। -कम तापमान और अन्य स्थितियां LGS क्रिस्टल EO Q -switch के लिए उपयुक्त हैं। हमने एलजीएस पोकल्स सेल बनाने के लिए the 11 के ईओ गुणांक को लागू किया, और एलजीएस इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल कोशिकाओं के आधे-तरंग वोल्टेज को कम करने के लिए इसके बड़े पहलू अनुपात का चयन किया, जो सभी-ठोस-राज्य के इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल ट्यूनिंग के लिए उपयुक्त हो सकता है उच्च शक्ति पुनरावृत्ति दरों के साथ लेजर। उदाहरण के लिए, इसे LD Nd पर लागू किया जा सकता है: YVO4 सॉलिड-स्टेट लेजर को 100W से अधिक औसत ऊर्जा और ऊर्जा के साथ पंप किया जाता है, जिसकी अधिकतम दर 200KHZ तक होती है, 715w तक का उच्चतम आउटपुट, 46ns तक पल्स की चौड़ाई, निरंतर लगभग 10w तक उत्पादन, और ऑप्टिकल क्षति सीमा LiNbO3 क्रिस्टल की तुलना में 9-10 गुना अधिक है। 1/2 वेव वोल्टेज और 1/4 वेव वोल्टेज एक ही व्यास के BBO पॉकल्स सेल्स से कम होते हैं, और सामग्री और असेंबली की लागत समान व्यास वाले RTP पोकल्स कोशिकाओं की तुलना में कम होती है। DKDP Pockels Cells की तुलना में, वे गैर-समाधान हैं और तापमान की स्थिरता अच्छी है। एलजीएस इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल सेल का उपयोग कठोर वातावरण में किया जा सकता है और विभिन्न अनुप्रयोगों में अच्छा प्रदर्शन कर सकता है।


मानक आवश्यकता और LGS pockels कोशिकाओं के नियमित आकार निम्नानुसार हैं:


क्रिस्टल का आकार (W x H x L): 2 x 2 - 8 x 8 mm3
Pockels सेल का आकार: Dia.20-35 मिमी
विलुप्त होने अनुपात:: 500: 1
वेवफ्रंट विरूपण: λ / 6 @ 632.8nm
ट्रांसमिशन: > 98.5% @ 1064nm
इलेक्ट्रोड के बीच अलगाव: <1 .A 3.0 केवी पर
सतह की गुणवत्ता: 20/10 (कोटिंग 40/20 के बाद)
कैपेसिटेंस 8 पीएफ
कोटिंग्स AR / AR @ 1064nm (R <0.2%)
नुकसान की सीमा 900MW / cm2 10ns 10Hz 1064nm

आदेश संख्या LG-EO-Q-30-55-1064-8
आउटलाइन डायमेंशन Dia.30 x 55 मिमी
क्रिस्टल का आकार (W x H x L): 8 x 8 x 45 mm3
विलुप्त होने अनुपात: 500: 1
एकल पास ऑप्टिकल ट्रांसमिशन% 98%
वोल्टेज (λ / 4) @ 1064nm: 3.2 के.वी.
प्रेषित लहर मोर्चा विरूपण: λ / 6
तरंग दैर्ध्य: अन्य तरंग दैर्ध्य अनुकूलित किया जा सकता है

युगलटेक एलजीएस ईओ क्रिस्टल के अन्य बढ़ते तरीके भी प्रदान करता है, यह कॉम्पैक्ट डिजाइन है, और एलजीएस ईओ सेल के चित्र इस प्रकार हैं:

LGS pockels cell with bracketLGS pockels cell with bracket


युगलटेक एलजीएस क्रिस्टल और पॉकल्स सेल, पॉकल्स सेल ड्राइवर और कई अन्य प्रकार के इलेक्ट्रो-ऑप्टिक घटक प्रदान करता है।


उत्पाद श्रेणियाँ : लेजर घटक > पॉकल्स सेल

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